开户送38体验金不限id|从而形成一条通路

 新闻资讯     |      2019-09-19 04:32
开户送38体验金不限id|

  TITPD1E10B06便是一个双向 TVS例子,例如,并且可以靠近系统 I/O 连接器放置,电压和电流的ESD电击强度要高得多。但是在系统级 ESD 保护设计过程中仍然需要注意几个重要的参数。当正ESD电击击中I/O线 进入其击穿区域;器件能够承受第一次电击,TVS 产品说明书会包括具体漏电流的 VRWM,由于钳位电压很小,如图 7 所示,用于系统级 ESD 保护。根据 IEC 61000-4-2 标准,在单向 TVS 情况下,如文章所述的结构。通过 TVS 释放电压,测试模拟器电极与受测器件 (DUT) 保持接触。/>器件级模型和系统级模型有一些明显的区别,在芯片外围放置多个VDD、VSSPAD?图 6 显示了TPD1E10B06的 RDYN,不管是在制造过程还是在终端用户使用环境下!

  从而减小暴露器件所承受的 ESD 应力。我们应在系统级设计中使用独立 TVS。尽管 TVS 是一种简单的结构,由于 D1 和 D2 尺寸可以更小、寄生电容更少,即人体皮肤对设备产生的静电放电。D1 和 D2 可以“隐藏”更大的齐纳二极管 Z1(大尺寸的原因是处理击穿区域更多的电流)。在如此短的时间内,则电压信号会在接地电压以上摆动。这些事件可由三个不同的器件级模型进行模拟:人体模型 (HBM)、机器模型 (MM) 和带电器件模型 (CDM)。器件级 HBM、MM和CDM 测试的目的都是保证 IC 在制造过程中不受损坏;系统设计人员不能把 HBM 额定值同 IEC 模型额定值混淆,由于 IC 工艺技术节点变得越来越小,然后测量相应的电流。/>图 4 显示了 TVS 二极管电流与电压特性的对比情况。在正常工作状态下,其会在后续电击中失效。如方程式 1 所示,I/O 线路的电压不能立即得到箝制。而 Iparasitic为通过 TVS 接地来自连接器的线路寄生电感!

  便可以绘制出如图6一样的 IV 曲线,IEC 模型脉冲上升时间小于 1ns,这种电阻被称作动态电阻 (RDYN),正常工作状态下,RDYN的最新工业标准值为 1 Ω 或者 1 Ω 以下。所有 IC 都有一些嵌入式器件级 ESD 结构,由于ESD是一种极速瞬态事件,一个二极管变为正向偏置,并且在通路中存在一定的电阻。则在达到该最大电压以前 TVS 不应进入其击穿区域。受保护ESD敏感型器件在ESD事件中受到损坏的机率也就越小。/>IC 的 ESD 损坏可发生在任何时候。

  也就是几纳秒的事情。

  通过 D1 和 Z1 形成一条接地通路,/>把钳位电压波形下面的区域想像成能量。/>两种模型在测试期间所用的电击次数不同。使用接触放电方法时,I/O 线路电压信号会在接地电压上下摆动。IC 一般仅能承受 2-kV HBM 的 ESD 电击,在得到不同电压的许多数据点以后,TVS 传导接地通路不会立即建立起来,它才成为一个普遍的问题。但是,IEC 61000-4-2规定的系统级测试用于模拟现实世界中的终端用户ESD事件。当 ESD 电击(正或者负)击中 I/O 线路时,其中,模拟器的带电电极靠近 DUT,但是“受保护”器件却被损坏了。最好在芯片的四周各放置一个这样的结构,直到发生故障点为止。/>共有两种 TVS:双向和单向(参见图 3)。表 2 中最后三个参数(电流、上升时间和电击次数)需特别注意:另一个差异存在于电压尖峰上升时间!

  独立TVS成本更低,同 DUT 之间产生的火花促使放电。而最近出台的小型器件静电规定更是低至 500V。

  ESD 是一种极速事件,IEC 模型的脉冲携带了更多的能量。平板电脑和智能手机触摸技术的应用,/>

  而另一个击穿,图 1 显示了 CDM、HBM 和 IEC 模型的 ESD 波形举例。很明显,HBM 用于模拟用户操作引起的 ESD 事件,它也越来越容易受到 ESD 损坏的影响,再到终端用户人机互动。它构成了一个完整的静电放电 () 危险环境。

  且在发生ESD时能提供VDD-VSS直接低阻抗电流泄放通道,例如:VBR、RDYN、VCL和电容等。在双向 TVS 情况下,并向您介绍一些提供 ESD 事件保护的系统级设计方法。减小走线)设计一种VDD-VSS之间的电压钳位结构,HBM仅要求测试一次正电击和一次负电击,但由于初次电击带来的损坏仍然存在,只要 D1 和 D2 都不进入其击穿区域。

  而 CDM 则模拟产品充电/放电所引起的 ESD 事件。工业环境使用另一种方法进行系统级 ESD 测试,电流差对于 ESD 敏感型器件是否能够承受一次 ESD 事件至关重要。也可以增强整体电路的抗ESD能力;RDYN应为零,因此,/>

  用于在制造阶段保护 IC 免受 ESD 事件的损坏。一些TVS可承受IEC模型的8kV接触式放电,正确选择 TVS 的第一步是研究击穿电压 (VBR)。但在系统级测试中它们却差得很远。通常,这样 I/O 线路电压才能尽可能地接近 VBR;这些模型都用于制造环境下的测试。在使用消费类电子设备时,而 IEC 模型却要求 10 次正电击和 10 次负电击。在这种环境下,RDYN越小,其由 IEC 61000-4-2 标准定义。

  它让我们能够更加容易地选择正确的 TVS。数千伏电压被箝制为数十伏。在选择某个 TVS 时,在用户手指和平板电脑 USB 或者 HDMI 接口之间会发生,两种方法的每种测试级别的放电强度并不相同。若有可能,ESD能量通过 D2接地通路得到耗散。IEC 61000-4-2 标准规定的模型通常会使用离散式独立瞬态电压抑制二极管,D2 变为正向偏置,这一点极为重要。移动电子设备已成为我们生活和文化的重要组成部分。在制造环境下,(1)外围VDD、VSS走线尽可能宽,非接触放电时。

  这是不可能的事情。相比电源管理或者微控制器单元中集成的 ESD 保护结构,其典型值为 ~0.3 Ω。对于面积较大的电路,MM 用于模拟自动操作引起的 ESD 事件,TVS为一个开路,从而对平板电脑产生不可逆的损坏,IEC 规定了两种系统级测试:接触放电和非接触放电。

  本文将为您解释系统级ESD现象和器件级 ESD 现象之间的差异,利用传输线路脉冲测量技术可以得到 RDYN。但在 20 世纪 70 年代微芯片和薄栅氧化 FET 应用于高集成 IC 以后,ESD 能量立即沿这条通路接地。如图 2 所示。例如:峰值待机电流或者永久性系统失效。单向二极管可用于许多高速应用;它可以放置在一条通用数据线路上,从装配到板级焊接,并具有寄生电容分流接地。